遥遥领先,台积电(TSM.US)将拥有超过50台EUV光刻机

来源:智通财经网发布时间:2020-09-29 10:27:59

本文来自 微信号“半导体行业观察”。

据Digitimes报道,台积电(TSM.US)将扩大采购EUV 设备,明年机台就将超过50 之数,估计可达55 台,非常可观。相较之下,三星可能还不到一半,而英特尔更少,这将令台积电持续维持制程优势。从EUV 光罩盒的采购量看来也支持这样的说法。

而从之前的消息看来,台积电是毫无疑问的EUV大买家。

台积电买下市场上50%的EUV光刻机

在上个月召开的台积电技术研讨会上,最重要的中心信息之一是,该公司在半导体制造领域处于世界领先地位,特别是在领先的工艺技术领域。

为进一步传达信息,台积电展示了一张幻灯片,指出了它与其他产品的相对位置:通过结合ASML的声明和自己的内部采购单,台积电预测他们已安装了全世界约约50%的激活EUV机器。除此之外,该公司还拥有约60%的EUV晶圆累计生产量。

大型晶圆厂目前已知的公开EUV工艺包括TSMC的7+和N5,以及三星的7LPP(及以下任何产品),英特尔(INTC.US)的EUV努力仅在明年进入其自己的7nm产品组合。这些流程之外的任何前沿技术都将继续扩大EUV的使用范围。

与常规DUV机器相比,EUV机器的吞吐率通常较低,每小时约为120-175片晶圆,最新版本可以达到275 wph,但是由于1层EUV通常可以代替3-4层DUV,因此吞吐率更高。但是,对于这些代工厂来说,渴望扩展到多个EUV机器以增加晶圆的物理数量是一个迫切的目标 。

唯一制造EUV机器的公司是ASML,并且该公司公开宣布其每年销售多少台机器。详情如下:

请注意,到目前为止,ASML仍未完全达到其目标,但是已经足够接近实现目标,这表明到2020年第二季度末,ASML仅出货了13台,但他们预期是35个系统。这些数字包括ASML已制造的所有不同类型的Twinscan NXE机器,而更新的机器具有更高的吞吐量(有时会翻新一些旧的机器)。

截止到2020年Q2,我们预测ASML已经发货的EUV机接近71台,到2020年年底,这个数字将有可能达到90台,然而ASML可能有多达积压49 EUV扫描曝光机订单,即使具有这些发货目标。

如果ASML已经出货了71台机器,那么根据台积电的数字,这意味着该公司大约有30-35台。请注意,TSMC的数字是针对“已安装的EUV”机器的。我们获悉,从获取零件到校准机器使用最多需要6个月的时间。

因此,目前,这些晶圆厂中有一些正在等待安装EUV机器,或者在Intel的情况下,可能仅用于早期测试或风险前试验。我们知道,GlobalFoundries拥有两台早期的EUV机器,安装了一台,但是当它决定不追求领先的7nm时最终出售了这两台机器,其中国内企业订购了一台,但据我们所知,由于美国施加的限制,它没有安装。。

随着台积电为其N5生产增加其Fab 18的产能,并提高其EUV集成度,看看台积电是否受制于其所拥有的机器数量是否受到限制将很有趣。在某个时候,英特尔在部署7纳米工艺时也会想购买一个数量(我已经看到英特尔已经至少有10台机器,但我无法确认),所以可能会有一个谁先获得订单的争吵。

但是可以肯定的是,ASML正处于中间位置,垄断着一切。

ASML研发下一代EUV光刻机:分辨率提升70% 逼近1nm极限

如前文所说,在EUV光刻机方面,荷兰ASML公司垄断了目前的EUV光刻机,去年出货26台,创造了新纪录。而据今年年初的报道,ASML公司正在研发新一代EUV光刻机,预计在2022年开始出货。根据ASML之前的报告,去年他们出货了26台EUV光刻机,预计2020年交付35台EUV光刻机,2021年则会达到45台到50台的交付量,是2019年的两倍左右。

目前ASML出货的光刻机主要是NXE:3400B及改进型的NXE:3400C,两者基本结构相同,但NXE:3400C采用模块化设计,维护更加便捷,平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时,支持7nm、5nm。

此外,NXE:3400C的产能也从之前的125WPH(每小时处理晶圆数)提升到了175WPH。

不论NXE:3400B还是NXE:3400C,目前的EUV光刻机还是第一代,主要特点是物镜系统的NA(数值孔径)为0.33。

ASML最近纰漏他们还在研发新一代EUV光刻机EXE:5000系列,NA指标达到了0.55,主要合作伙伴是卡尔蔡司、IMEC比利时微电子中心。

与之前的光刻机相比,新一代光刻机意味着分辨率提升了70%左右,可以进一步提升光刻机的精度,毕竟ASML之前的目标是瞄准了2nm甚至极限的1nm工艺的。

不过新一代EUV光刻机还有点早,至少到2022年才能出货,大规模出货要到2024年甚至2025年,届时台积电、三星等公司确实要考虑3nm以下的制程工艺了。(编辑:mz)